CVD SiC ነጠላ ዋፈር ተጠርጣሪ

የአጠቃቀም ሁኔታዎች ወይም መሳሪያዎች፡ AMTA ኤፒታክሲያል መሳሪያዎች

እጅግ በጣም ከፍተኛ ንፅህና (≤100ppb፣ ICP-E10 የተረጋገጠ) እና ለGaN፣ SiC እና በሲሊኮን ላይ የተመሰረቱ ኤፒ-ንብርብሮች ብክለትን የሚቋቋም እድገትን የሚከላከል ልዩ የሙቀት/ኬሚካል መረጋጋት። በትክክለኛ የCVD ቴክኖሎጂ የተገነባ፣ 6”/8”/12” ዋፈርዎችን ይደግፋል፣ አነስተኛ የሙቀት ጭንቀትን ያረጋግጣል እና እስከ 1600°ሴ የሚደርስ ከፍተኛ የሙቀት መጠንን ይቋቋማል።

የኩባንያው ጥንካሬ

ሴሚክስላብ ቴክኖሎጂ ኩባንያ ሊሚትድ 2 የምርምር እና ልማት ማዕከላት፣ 2 የምርት መሠረቶች፣ 12 የምርት መስመሮች፣ 150+ ሠራተኞች እና የምርምር እና ልማት ኢንቨስትመንት ከ30% በላይ ይይዛል። የምርት አቀማመጣችን በዋናነት በ LED፣ IC የተቀናጀ ዑደት፣ በሶስተኛ ትውልድ ሴሚኮንዳክተር፣ በፎቶቮልታይክ እና በሌሎች ኢንዱስትሪዎች ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላል። ሴሚክስላብ ጠንካራ የምርምር እና ልማት፣ የምርት እና የተቀናጀ የሙከራ እና የማረጋገጫ ችሎታዎች አሉት። በተመሳሳይ ጊዜ፣ በዓመት በአስር ሚሊዮኖች የሚቆጠር ኢንቨስትመንት ቴክኖሎጂያችንን እና መሳሪያዎቻችንን ያለማቋረጥ እያሻሻልን ነው።

የሲቪዲ ሲሲ ነጠላ ዋፈር ሱሴፕተር በዋናነት ጥቅም ላይ የሚውለው በተተገበሩ ቁሳቁሶች ሲሊኮን ኤፒታክሲ መሳሪያዎች ውስጥ ሲሆን ቁሱ ከውጭ የሚመጣው ግራፋይት + ሲቪዲ ሲሲ ሽፋን ነው።

ዋና ዝርዝር መለኪያዎች፡ የሲሊኮን ካርቦይድ ሽፋን እና ግራፋይት ቁሳቁስ፡

ዋና መተግበሪያዎች:

በAMTA ኤፒታክሲ መሳሪያዎች ውስጥ እንደ ተጨማሪ መገልገያ፣ 6 ኢንች 8 ኢንች 12 ኢንች የዋፈር ሱሰተር ማቅረብ እንችላለን።

በAMTA ኤፒታክሲ መሳሪያዎች ውስጥ የሲቪዲ ሲሲ ነጠላ ዋፈር ሱሰተር፡

1. የዋፈር ድጋፍ እና የሙቀት መስክ ተመሳሳይነት

በAMTA ኤፒታክሲ መሳሪያዎች ውስጥ የሲቪዲ ሲሲ ነጠላ ዋፈር ተከላካይ እንደ ዋና ተግባር በMOCVD፣ CVD እና በሌሎች ኤፒታክሲ መሳሪያዎች ውስጥ፣ ዋፈር ተከላካይ እንደ ዋፈር ተሸካሚ ሆኖ ያገለግላል፣ እና የኤፒታክሲያል ንብርብሮች (ለምሳሌ GaN፣ SiC) ወጥ የሆነ እድገት ለማረጋገጥ ሙቀትን ወደ ዋፈር ወለል በተቃውሞ ማሞቂያ ወይም በRF ማሞቂያ ያስተላልፋል።

ከፍተኛ የሙቀት ማስተላለፊያ ዲዛይኑ በጠርዙ እና በመሃል መካከል ያለውን የሙቀት መጠን ይቀንሳል፣ የሙቀት መጠኑን ተመሳሳይነት በ ±1°ሴ ውስጥ ይቆጣጠራል እና የቁሳቁስ ጭንቀት ጉድለቶችን ያስወግዳል።

2. የኬሚካል ብክለት መከላከያ

በቀጥታ ለሂደት ጋዞች የተጋለጡ የግራፋይት ንጣፎች ኦክሳይድ በማድረግ CO₂ ወይም ዱቄት በመፍጠር የምላሽ ክፍሉን ያረክሳሉ። የሲቪዲ ሲሲ ሽፋን ግራፋይትን ከቆርቆሮ ጋዞች ለመለየት እና በዋፈር ወለል ላይ ያለውን የብክለት ብክለት ለመቀነስ እንደ መከላከያ ንብርብር ሆኖ ያገለግላል።

ለምሳሌ፣ በ GaN epitaxy ሂደት ውስጥ፣ ሽፋኑ እንደ NH₃ እና TMGa ያሉ ቀዳሚዎችን መሸርሸር በብቃት መቋቋም ይችላል፣ እና የፊልሙን ንፅህና ያረጋግጣል።

3. የተለያዩ የኤፒታክሲያል ሂደቶችን ማስተካከል

የሶስተኛ ትውልድ ሴሚኮንዳክተሮች፡- ለሲሲ ንጣፎች በሲሲ ንጣፎች ላይ ለሲሲ ወይም ለጋኤን ኤፒታክሲ፣ ለወፍራም ፊልሞች እና ለዝቅተኛ የጉድለት መጠኖች ከፍተኛ ኃይል ላላቸው መሳሪያዎች መስፈርቶችን ለማሟላት።

ማይክሮ-ኤልኢዲ ማምረት፡- ጥቃቅን መጠን ያላቸውን ዋፈርዎች (ለምሳሌ፣ 8 ኢንች) ከፍተኛ ትክክለኛነት ያለው አቀማመጥ እና የሙቀት አያያዝን ለመደገፍ እና የሞገድ ርዝመት ስርጭት ስርጭትን ለመቀነስ።

የቁሳቁስ ባህሪያት፡ እጅግ በጣም ጥሩ የ CVD SiC አፈጻጸም

1. እጅግ በጣም ከፍተኛ ንፅህና እና ጥቅጥቅ ያለ መዋቅር

የሲሊኮን ካርቦይድ (SiC) ሽፋን፣ በኬሚካል ትነት ክምችት (CVD) በኩል የተቀመጠው፣ በICP-MS (ኢንዳክቲቭሊ ኮፐሬድ ፕላዝማ ሜስ ስፔክትሮሜትሪ) የተረጋገጠውን የ≤100ppb (E10 standard) የብክለት ደረጃዎችን ያገኛል። ይህ እጅግ በጣም ከፍተኛ ንፅህና በኤፒታክሲያል እድገት ወቅት የብክለት አደጋዎችን ይቀንሳል፣ እንደ ጋሊየም ናይትራይድ (GaN) እና ሲሊከን ካርቦይድ (SiC) ሰፊ-ባንድጋፕ ሴሚኮንዳክተር ማምረቻ ላሉ ወሳኝ አፕሊኬሽኖች የላቀ የክሪስታል ጥራት ያረጋግጣል።

የሽፋን አወቃቀሩ ጥቅጥቅ ያለ እና ወጥ የሆነ ሲሆን ዝቅተኛ የወለል ሸካራነት ያለው ሲሆን ይህም የቅንጣት መፍሰስ አደጋን የሚቀንስ እና የሴሚኮንዳክተር ጽዳት ክፍሎችን ከፍተኛ ደረጃ ያላቸውን መስፈርቶች የሚያሟላ ነው።

2. ከፍተኛ የአካባቢ መቋቋም

ከፍተኛ የሙቀት መጠን መቋቋም፡- በ1600°ሴ የፊዚዮኬሚካላዊ መረጋጋትን መጠበቅ ይችላል፣ ይህም ከግራፋይት ንጣፎች ኦክሳይድ መጠን (400°ሴ አካባቢ) በጣም ከፍ ያለ ሲሆን የአገልግሎት ህይወቱን በእጅጉ ያራዝማል።

የዝገት መቋቋም፡- እንደ Cl₂፣ H₂ እና የፕላዝማ መሸርሸር ላሉ ዝገት ጋዞች እጅግ በጣም የሚቋቋም፣ ለ MOCVD፣ MBE እና ለሌሎች አስቸጋሪ የሂደት አካባቢዎች ተስማሚ።

3. እጅግ በጣም ጥሩ የሙቀት አፈፃፀም

እስከ 300 W/mK የሚደርስ የሙቀት ማስተላለፊያ (thermal conductivity) ዋፈሮቹ በእኩል እንዲሞቁ ያደርጋል፣ የኤፒታክሲያል ንብርብር ውፍረት መዛባትን ይቀንሳል (ለምሳሌ የሞገድ ርዝመት ለውጥ ችግሮች)፣ እና የኤልኢዲዎችን፣ የኃይል መሳሪያዎችን እና ሌሎች ምርቶችን ምርት ያሻሽላል።

የሙቀት መስፋፋት (4×10-⁶/K) ኮፊሸንት ከግራፋይት ንጣፎች ጋር ቅርብ ነው፣ ይህም በሙቀት ለውጥ ምክንያት ሽፋኑን ከመስበር ወይም ከመላጥ ይከላከላል።

4. የሜካኒካል ጥንካሬ እና ዘላቂነት

እስከ 470 MPa የሚደርስ የመተጣጠፍ ጥንካሬ፣ ከፍተኛ ድግግሞሽ ከፍተኛ-ሙቀት-ዝቅተኛ-ሙቀት ዑደት እና ሜካኒካል ጭንቀትን መቋቋም የሚችል፣ የጥገና ድግግሞሽን የሚቀንስ።

በአሁኑ ጊዜ የሲሊኮን ካርቦይድ ሽፋን ንፅህና በ ICP ሙከራ ውስጥ ወደ 100 ppb አካባቢ ሊደርስ ይችላል፣ እና ይህ የንፅህና ደረጃ በቻይና ውስጥ ካሉት ከፍተኛ ደረጃዎች አንዱ ነው።