ሲሲ የተሸፈነ ስብስብ ዲስክ

የሲሲ ሽፋን ያለው የዲስክ ቅንብር

ሴሚክስላብ ሲሲ ኮተድድ ዲስክ ለኤክስትሮን ኤምኦቪዲ መሳሪያዎች የተነደፈ የዋፈር ተሸካሚ ነው። በዋናነት የሚከተሉትን ሁለት ክፍሎች ያቀፈ ነው፡

1. የንዑስ ክፍል ቁሳቁስ፡ ከፍተኛ ንፅህና ያለው ኢሶስታቲክ ግራፋይት

የቁሳቁስ ባህሪያት፡ እጅግ በጣም ከፍተኛ የሙቀት አማቂ ኃይል (እስከ 180 W/m·K)፣ በከፍተኛ ሙቀት ጠንካራ መረጋጋት፣ ለመበላሸት ወይም ለመስበር ቀላል አይደለም።

ጥቅሞች፡- ለዋፈር ጥሩ የሙቀት ወጥነት እና መዋቅራዊ ጥንካሬ ይሰጣል፣ ይህም የእድገት ሂደቱን ወጥነት ለማረጋገጥ አስፈላጊ መሠረት ነው።

2. የገጽታ ሽፋን፡ ከፍተኛ ንፅህና ያለው የሲሲ (ሲሊከን ካርቦይድ) የሲቪዲ ክምችት

የማስቀመጫ ዘዴ፡- በፕላዝማ የተሻሻለ የCVD ወይም የሙቀት CVD ሂደት ጥቅም ላይ ይውላል፣ እና የሽፋን ውፍረት ከ50-200 μm መካከል ቁጥጥር ይደረግበታል።

የባህሪ መግለጫ፡ የገጽታው ንብርብር ጥቅጥቅ ያለ እና ቀዳዳ የሌለው ሲሆን፣ የሞህስ ጥንካሬ ወደ 9 የሚጠጋ ሜካኒካል ጥንካሬ ያለው ሲሆን ለዝገት እና ለከፍተኛ የሙቀት መጠን ተጽእኖ እጅግ በጣም የሚቋቋም ነው።

ሴሚክስላብን ለምን ይመርጣሉ?

እየፈለጉ ከሆነ፡-

● ለ Aixtron ስርዓቶች ከፍተኛ አፈጻጸም ያለው የሲሲ ሽፋን ያለው ስብስብ ዲስክ።

● ብጁ መጠኖችን፣ የማደስ አገልግሎቶችን እና ከፍተኛ የሙቀት መጠን ያላቸውን የዝገት አካባቢዎችን የሚደግፉ የአገልግሎት አቅራቢ መፍትሄዎች።

● የMOCVD ምርትን የሚያሻሽሉ እና የሂደት መረጋጋት ዑደቶችን የሚያራዝሙ ከፍተኛ ጥራት ያላቸው ክፍሎች።

የቅርብ ጊዜውን የዋጋ ዝርዝር መረጃ እና ቴክኒካዊ ዝርዝሮችን ለማግኘት እባክዎ አሁኑኑ ያግኙን። ወደ ምርት መስመርዎ በፍጥነት እንዲያሰማሩ ለማገዝ ዓለም አቀፍ የማድረስ እና የቴክኒክ ድጋፍ አገልግሎቶችን እናቀርባለን።

የፊዚካል ባህሪያት ዋና ዋና ትንታኔዎች

1. ከፍተኛ የሙቀት መቋቋም

የአሠራር የሙቀት መጠኑ የላይኛው ገደብ 1600°ሴ+ ሊደርስ ይችላል። የሽፋን አወቃቀሩ በሙቀት ውጥረት ምክንያት አይሰነጠቅም ወይም አይላጥም እንዲሁም ረጅም ዑደት ያለው የMOCVD ምላሽ አካባቢን መቋቋም ይችላል።

2. የሙቀት ማስተላለፊያ እና የሙቀት ተመሳሳይነት

የንጣፍ + ሽፋን ጥምረት የሙቀት ማስተላለፊያውን የበለጠ ቀልጣፋ ያደርገዋል እና ባልተመጣጠነ ሙቀት ምክንያት የሚመጡ የዋፈር እድገት ጉድለቶችን ያስወግዳል። የሙቀት ማስተላለፊያ ወጥነት የማጠራቀሚያ ውፍረት እና ቅንብር ወጥ የሆነ ስርጭትን ያረጋግጣል፣ እና ምርቱን ያሻሽላል።

3. የኬሚካል ዝገት መቋቋም

ሽፋኑ እንደ ሃይድሮጂን፣ አሞኒያ፣ ቲኤምጋ እና ቲኤምአል ያሉ በጣም ዝገት የሚያስከትሉ የMOCVD ሂደት ጋዞችን ውጤታማ በሆነ መንገድ መቋቋም ይችላል። ቁሱ ራሱ በጣም ጥቅጥቅ ያለ β-SiC መዋቅር ሲሆን ከግብረመልስ ጋዝ ጋር ምንም አይነት የጎንዮሽ ጉዳት አይከሰትም።

4. የወለል ቅንጣት ቁጥጥር

የሽፋን ወለል ዝቅተኛ ሸካራነት (Ra<0.5μm) ያለው ሲሆን ቅንጣቶችን ለመምጠጥ ወይም ለመላጥ ቀላል አይደለም። በተለይም 6 ኢንች እና ከዚያ በላይ ለሆኑ ትላልቅ መጠን ላላቸው የዋፈር ሂደቶች ተስማሚ የሆነ የሂደት ማይክሮ-ቅንጣት ብክለትን ይቀንሱ።

የምርት አተገባበር ሁኔታዎች እና ተግባሮቻቸው

1. በተለይ ለአይክስትሮን ፕላኔታሪ ሪአክተር መዋቅር የተነደፈ

እንደ AIX 200 እና AIX 2800G4 ላሉ የፕላኔቶች ተርንቴብል መዋቅሮች የምላሽ ክፍሎች ላይ ተፈጻሚ ይሆናል።

የዲስክ አወቃቀሩ በሚሽከረከርበት ጊዜ የዋፈር የሙቀት ሲሜትሪ እና የአየር ፍሰት ሚዛን ለማረጋገጥ በትክክል የተነደፈ ነው።

2. በተዋሃደ ሴሚኮንዳክተር ኤፒታክሲ ውስጥ አስፈላጊ ሚና

የተለያዩ የ III-V ውህድ ቁሶችን ጨምሮ ለ MOCVD ኤፒታክሲያል እድገት የሚተገበር ሲሆን ከእነዚህም ውስጥ የሚከተሉት ይገኙበታል፤

● GaN/AlGaN: ለ LEDs፣ ለሌዘር፣ ለኃይል መሳሪያዎች።

● AlN፣ InGaN፡ ለ UV LEDs እና ለከፍተኛ ድግግሞሽ መሳሪያዎች።

● GaAs/InP epitaxy፡ ለከፍተኛ ፍጥነት ላላቸው የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች እና ለሌዘር የመገናኛ ቺፖች።

ሴሚኮንዳክተር ቺፕ ኤፒታክሲ ኢንዱስትሪ ሰንሰለት፡

ሴሚክስላብ ሲሲ የተሸፈኑ የዲስክ ሱቆች