ምርቶች

ለMOCVD የሲሲ ሽፋን ያለው ግራፋይት ሱሴፕተር

በብረት-ኦርጋኒክ ኬሚካል ትነት ዲፖዚሽን (MOCVD) ኤፒታክሲ ውስጥ ወሳኝ የፍጆታ አካል እንደመሆኑ፣ ለMOCVD ኤፒታክሲ የሚሆን የሲቪዲ ሲሲ የተሸፈነ ግራፋይት ሱሴፕተር የተራቀቁ የተዋሃዱ ሴሚኮንዳክተር የእድገት ሂደቶችን ጥብቅ የሙቀት፣ የኬሚካል እና የሜካኒካል ፍላጎቶችን ለማሟላት የተነደፈ ነው። ከፍተኛ ንፅህና ባለው የግራፋይት ኮር እና በኬሚካል ትነት የተቀመጠው የሲሊኮን ካርቦይድ (CVD SiC) ሽፋን የተነደፈው ይህ ሱሴፕተር ልዩ የሆነ የሙቀት ወጥነት፣ ለቆርቆሮ ሂደት ጋዞች በጣም ጥሩ የመቋቋም ችሎታ እና ረጅም የአገልግሎት ዘመንን ይሰጣል፣ በተለምዶ በ III-V እና II-VI ኤፒታክሲያል ምርት ውስጥ በተደጋጋሚ በሚከሰት ከፍተኛ የሙቀት ዑደት። ጥያቄዎን በደስታ እንቀበላለን።

ጥያቄ

መግለጫ

በዛሬው የውህድ-ሴሚኮንዳክተር ኢንዱስትሪ ውስጥ፣ የMOCVD መሳሪያዎች ከመቼውም ጊዜ በበለጠ ጠንክረው ይገፋሉ። ከፍተኛ የኃይል ጥግግት፣ የተጠበቡ የመሳሪያ ጂኦሜትሪዎች እና ከጊዜ ወደ ጊዜ ጥብቅ የሆኑ የምርት ኢላማዎች ማለት እያንዳንዱ የሚበላው ክፍል በተጠበቀ ሁኔታ መከናወን አለበት ማለት ነው፣ ከዑደት በኋላ ዑደት። ከእነዚህ መካከል የግራፋይት ተከላካይ ብዙውን ጊዜ ችላ ይባላል - ነገር ግን የዋፈር-ሙቀት ወጥነትን፣ የንብርብር-ጥራት ወጥነትን እና አጠቃላይ የምርት ቅልጥፍናን በቀጥታ የሚቀርጸው አንድ አካል ነው።

የሴሚክስላብ ሽፋን ያለው ተከላካይ የሚመጣው እዚህ ላይ ነው። በከፍተኛ ንፁህ ኢሶስታቲክ ግራፋይት እንጀምራለን፣ ከዚያም በኬሚካል ትነት ክምችት በኩል ጥቅጥቅ ያለ የሲሊኮን ካርቦይድ ንብርብር እንተገብራለን። ውጤቱም ኃይለኛ የሆኑ የኤፒ ኬሚስትሪዎችን የሚቋቋም፣ አስተማማኝ የሙቀት ዝውውርን የሚያቀርብ እና ምንም አይነት ቅንጣቶችን የማይጥል ክፍል ነው - በመቶዎች የሚቆጠሩ ሩጫዎች በኋላም ቢሆን። ይህ GaN፣ SiC፣ AlN፣ AlGaN እና ሌሎች III-V ቁሳቁሶችን ለማሳደግ የተረጋገጠ ምርጫ ነው፣ የኃይል መሳሪያዎችን፣ LEDዎችን ወይም የRF ክፍሎችን እየሠሩ ይሁኑ።

ጥርጣሬው ከምታስበው በላይ አስፈላጊ የሆነው ለምንድን ነው?

በተግባር ግን፣ ተንሳፋፊው የዋፈር መያዣ ብቻ አይደለም። የጋዝ ፍሰት ተለዋዋጭነትን፣ የሙቀት ቅልጥፍናዎችን እና በቡድኖች መካከል የመበከል አደጋን ይነካል። በጥሩ ሁኔታ የተነደፈ የሲሲ ሽፋን በአንድ ጊዜ ሶስት ነገሮችን ያደርጋል፡ የግራፋይት ወለልን ይዘጋል፣ የጋዝ መፈጠርን ይከላከላል፣ እና ከአሞኒያ፣ ሃይድሮጂን እና ሃሊድ ፕሪኩዌንሰሮች የሚመጣ ጥቃትን ይቋቋማል። ይህም ወደ ስራ ፈት ጽዳት፣ ከሩጫ ወደ ሩጫ የተሻለ ተደጋጋሚነት እና - በመጨረሻም - በአንድ ዋፈር የበለጠ ጥሩ ዳይስ ያስከትላል።

በሽፋኑ ውስጥ የተገነቡት ቁልፍ ባህሪያት

● የሙቀት መስክ በመላው የኪስ ቦታ ላይ ወጥ ሆኖ የሚቆይ ሲሆን ይህም ትኩስ ቦታዎች ወይም ቀዝቃዛ ጠርዞች እንዳያገኙ ያደርጋል።

● ሲቪዲ (CVD) ሙሉ በሙሉ ጥቅጥቅ ያለ እና ቀዳዳው ወደ ዜሮ የሚጠጋ - ይህም የቅንጣት ቆጠራን ዝቅተኛ የሚያደርገው ነው።

● ከፍተኛ የሙቀት መጠን NH₃ እና H₂ ያላቸውን ጨምሮ በጣም ከባድ የሆነውን የMOCVD የምግብ አዘገጃጀት መመሪያዎችን የሚቋቋም የኬሚካል መቋቋም።

● ሳይሰነጠቅ ወይም ሳይፈርስ በፍጥነት ማሞቂያና ማቀዝቀዣን የሚቋቋም ሜካኒካል መረጋጋት።

● የማሽን መቻቻል እስከ ጥቂት ማይክሮኖች ድረስ ይቀንሳል፣ ለብጁ የኪስ ዲዛይኖች፣ ለቀዳዳ ቅጦች እና ዲያሜትሮች ሙሉ የኦሪጂናል ዕቃ አምራች ድጋፍ አለው።

ተጎጂዎቻችን በተለምዶ ጥቅም ላይ የሚውሉበት ቦታ

● GaNbased LED epitaxy (ሁለቱም መደበኛ እና ማይክሮ ኤልኢዲ)

● የGaN የኃይል መሣሪያ መዋቅሮች (ለምሳሌ HEMTs)

● ለኃይል እና ለ RF SiC ሆሞኢፒታክሲ እና ሄትሮኢፒታክሲ

● ለዲፕ ዩቪ እና ፒኢዞኤሌክትሪክ ንብርብሮች የAlN እድገት

● ሌሎች IIIV ውህዶች - InGaN፣ AlGaN እና ሌሎችም።

በአጭሩ፡ ምን ያገኛሉ

የባህሪ	ለእርስዎ ምን ማለት ነው
ጥራዝ	ኢሶስታቲክ ግራፋይት፣ የአመድ ይዘት < 5 ppm
ማቅለሚያ	ሲቪዲ ሲሊከን ካርቦይድ፣ ሙሉ በሙሉ ክሪስታሊን
የሙቀት አፈፃፀም	በH₂/NH₃ አካባቢዎች እስከ 1400°ሴ ድረስ የተረጋጋ
ዝገት መቋቋም	የክብደት ለውጥ ሳይኖር የ100 ሰዓት የNH₃ የመርጨት ሙከራዎችን ያልፋል
የህይወት ዘመን	በተለምዶ ከማይሸፈኑ ወይም ከተቀቡ አማራጮች 3–5× ይረዝማል
ብጁ አማራጮች	ዲያሜትር፣ የኪስ ብዛት፣ የጠርዝ ጂኦሜትሪ፣ የቀዳዳ ቦታዎች - ሁሉም እንደ ስዕልዎ

ደንበኞቻችን ለምን ይመለሳሉ?

እኛ የሽፋን ቤት ብቻ አይደለንም - ከውስጥ ወደ ውጭ ያለውን ኤፒታክሲ የምንረዳ አጋር ነን። ቡድናችን በሪአክተሩም ሆነ በሂደቱ ጎን ላይ ሰርቷል፣ ስለዚህ ምን አስፈላጊ እንደሆነ እናውቃለን፡ ወጥ የሆነ የሙቀት ግንኙነት፣ የመንሸራተት መቀነስ እና የፕሮቶታይፕ ድግግሞሽ ሲያስፈልግዎ ፈጣን መመለሻዎች። ለሙከራ መስመር አምስት ቁርጥራጮችን እያዘዙ ይሁን ወይም ለከፍተኛ መጠን ምርት አምስት መቶ ቁርጥራጮችን እያዘዙ፣ ተመሳሳይ የፍተሻ ጥንካሬ እና ለመላመድ ተመሳሳይ ፍላጎት እንተገብራለን።

በተደጋጋሚ የሚጠየቁ ጥያቄዎች - ቀጥተኛ መልሶች

ጥያቄ 1፡ “CVD SiCcoated Graphite Susceptor” ማለት ምን ማለት ነው?

መ፡ በኬሚካል ትነት ክምችት ሂደት አማካኝነት ቀጭንና የማይበገር የሲሊኮን ካርቦይድ ንብርብር የተሰጠው የግራፋይት ዲስክ ነው። ሽፋኑ ቀዳዳውን ግራፋይት ስለሚዘጋው በMOCVD ክፍል ውስጥ ካሉ የሂደት ጋዞች ጋር ቅንጣቶችን አይለቅም ወይም ምላሽ አይሰጥም።

ጥ 2፡ በባዶ ግራፋይት ወይም በፒሮሊቲክ ሽፋን ከመጠቀም ይልቅ በሲሲ ለምን እንጨነቃለን?

መ፡ ሲሲ ብርቅዬ ጥምረት ያቀርባል - ጠንካራ፣ በኬሚካል የማይንቀሳቀስ፣ በሙቀት የሚተላለፍ እና ከግራፋይት ጋር የሚቀራረብ የሙቀት መስፋፋት ቅንጅት አለው። ይህ ማለት ሽፋኑ በሙቀት ዑደቶች ውስጥ ሳይበላሽ ይቆያል ማለት ነው፣ ከሌሎች ከሚሰነጠቁ ወይም ከሚሰነጠቁ ቁሳቁሶች በተለየ።

ጥ 3፡ በእነዚህ ተጎጂዎች ላይ ምን አይነት ኤፒታክሲያል ቁሶችን ማስኬድ ይችላሉ?

መ፡ ለ GaN፣ SiC፣ AlN፣ AlGaN፣ InGaN እና ለአንዳንድ ternary እና quaternary alloys እንኳን በተሳካ ሁኔታ ጥቅም ላይ ሲውሉ አይተናል። ሽፋኑ በመሠረቱ ለኬሚስትሪ ግልጽ ነው፣ ስለዚህ ከዶፒንግ ወይም ከቅንብር ጋር ጣልቃ አይገባም።

Q4: መደበኛ ያልሆኑ መጠኖችን ወይም ባለብዙ ኪስ ዲዛይኖችን መስራት ይችላሉ?

መ፡- በፍጹም። በዋፈር መጠኖችዎ እና በሬክተር አቀማመጥዎ ላይ በመመስረት - የተለያዩ ዲያሜትሮች፣ ጥልቀቶች እና ክፍተቶች - ብጁ ኪሶችን በመደበኛነት እናሰራለን። በDXF ወይም በSTEP ቅርጸት ስዕል ይላኩልን።

ጥያቄ 5፡ ይህ በትክክል ምርታማነትን እንዴት ያሳድጋል?

መ፡ ሶስት መንገዶች - አነስተኛ ቅንጣቶች ማለት በአንድ ሩጫ ከፍተኛ ምርት ማለት ነው፤ ረጅም የሽፋን ዕድሜ ማለት አነስተኛ መተካት እና አነስተኛ የስራ ማቆም ማለት ነው፤ እና የተረጋጋ የሙቀት ባህሪ ማለት ተመሳሳይ የሂደት አዘገጃጀት መመሪያን እንደገና ሳያመቻቹ ለወራት እንደገና መጠቀም ይችላሉ ማለት ነው። ይህ ተጨባጭ የሆነ የወጪ ፐርዋፈር ማሻሻያን ይጨምራል።