Etching ትኩረት ቀለበት

እንደ ሲቪዲ የኬሚካል ትነት ክምችት፣ ኢቺንግ እና ቀጭን የፊልም ክምችት ባሉ ዋና ሴሚኮንዳክተር የማምረቻ ሂደቶች ውስጥ፣ ኢቺንግ ፎከስ ሪንግ (ኢቺንግ ፎከስ ሪንግ)፣ ኤሌክትሮድ (ኤሌክትሮድ)፣ ኢቲሲ (የጠርዝ ሙቀት መቆጣጠሪያ) እና ሌሎች የሚበሉ ክፍሎች የሂደቱን ትክክለኛነት እና መረጋጋት ለማረጋገጥ ቁልፍ ክፍሎች ናቸው። እነዚህ ክፍሎች በትክክል በቫክዩም ክፍል ውስጥ የፕላዝማ ስርጭትን፣ የጠርዝ ሙቀት እና የኤሌክትሪክ መስክ ወጥነትን በትክክል በመቆጣጠር በዋፈር ወለል ላይ ያሉ የናኖስኬል መዋቅሮችን አንድ ወጥ የሆነ ማሽነሪ ለማግኘት በትክክል ተሰብስበዋል።

ሴሚክስላብ ከፍተኛ ጥራት ባላቸው ሂደቶች (እንደ 5nm እና ከዚያ በታች ባሉ) ውስጥ ለንፅህና እና ለመረጋጋት ጥብቅ መስፈርቶች ምላሽ ለመስጠት፣ ከባህላዊ የኳርትዝ ቁሳቁሶች ጋር ሲነጻጸር ከፍተኛ ንፅህና ያለው ሞኖክሪስታሊን ሲሊከን ያላቸው የተቀረጹ የማተኮር ቀለበቶችን እና ደጋፊ የፍጆታ ቁሳቁሶችን እንደ ዋና ቁሳቁስ አስተዋውቋል። የዝገት መቋቋም፣ የሙቀት መረጋጋት እና የዲኤሌክትሪክ ባህሪያት ግኝት።

የዋና ቁሳቁስ ንጽጽር፡ ሞኖክሪስታሊን ሲሊከን ከኳርትዝ ጋር ሲነጻጸር

1. የፕላዝማ ዝገት መቋቋም

ሞኖክሪስታሎች። ከዋፈር ቤዝ ቁሳቁስ ጋር በጣም ተመሳሳይ ሲሆኑ፣ በፍሎሪን ላይ በተመሠረተ (CF₄፣ SF₆) ወይም በክሎሪን ላይ በተመሠረተ (Cl₂) የፕላዝማ አካባቢዎች ውስጥ በጣም ዝቅተኛ የመቅዳት መጠን አሳይተዋል እና እስከ ኳርትዝ ድረስ ከ3-5 እጥፍ ያህል ኖረዋል፣ ይህም የመሳሪያዎችን የእረፍት ጊዜ እና የመተካት ድግግሞሽን ይቀንሳል።

ኳርትዝ፡- ምንም እንኳን ጥሩ ከፍተኛ የሙቀት መጠን መቋቋም ቢኖረውም፣ ከፍተኛ ኃይል ባላቸው የአዮኖች ቦምብ ድብደባዎች ማይክሮ-ስንጥቆችን መፍጠር ቀላል ነው፣ ይህም በተለይ በረጅም ጊዜ የመቁረጫ ሂደት ውስጥ የንጥረ ነገር ብክለት አደጋን ይጨምራል።

2. የሙቀት ማስተላለፊያ እና የሙቀት ማስፋፊያ ቅንጅት

ሞኖክሪስታሊን ሲሊከን፡ የሙቀት አማቂነት (149 W/m·K) ከኳርትዝ (1.4 W/m·K) በእጅጉ ከፍ ያለ ሲሆን ይህም የሂደት ሙቀትን በፍጥነት ሊያከናውን እና የአካባቢውን የሙቀት ጭንቀት ሊቀንስ ይችላል። የሙቀት መስፋፋት ዝቅተኛው ኮፊሸንት (2.6 × 10⁻⁶/K) በሙቀት መለዋወጥ ምክንያት የሚከሰተውን የክፍሎች መበላሸት ለማስወገድ ከሲሊኮን ዋፈር ጋር ይዛመዳል።

ኳርትዝ፡ ዝቅተኛ የሙቀት አማቂነት፣ በክፍሉ ውስጥ የሙቀት ቅልመት ለመፍጠር ቀላል፣ የፕላዝማ ወጥነትን የሚነካ፤ የሙቀት ማስፋፊያ ኮፊሸንት (0.55×10⁻⁶/K) ከዋፈር በጣም የተለየ ነው፣ ይህም ለረጅም ጊዜ ከፍተኛ ሙቀት ስር ያሉ ክፍሎችን ጥቃቅን መፈናቀል ሊያስከትል ይችላል።

የዲኤሌክትሪክ ባህሪያት እና የሂደት ትክክለኛነት

ሞኖክሪስታል ሲሊከን፡ በጣም ዝቅተኛ ዳይኤሌክትሪክ ብክነት (ታንδ <0.001)፣ የ RF የኤሌክትሪክ መስክ ስርጭት በትክክል ሊስተካከል የሚችለው የዋፈር ኢቺንግ ፍጥነት ልዩነት መሃል ላይ ያለው ጠርዝ ከ 1.5% ያነሰ መሆኑን ለማረጋገጥ ሲሆን ይህም የመስመር ስፋት ወጥነት ለማግኘት የላቁ ሂደቶችን መስፈርቶች ያሟላል።

ኳርትዝ፡- ዳይኤሌክትሪክ ቋሚ (3.8) ከሲሊኮን ላይ ከተመሠረተ አካባቢ የተለየ ሲሆን ይህም በቀላሉ ወደ ኤሌክትሪክ መስክ መዛባት ይመራል፣ እና የጠርዝ ተፅዕኖው ጉልህ ነው፣ ይህም የከፍተኛ ገጽታ ጥምርታ መዋቅር የመፍጠር ወጥነት ላይ ተጽዕኖ ያሳድራል።

ለምን ሞኖክሪስታሊን ሲሊከንን መምረጥ አለብዎት?

ከ7nm በታች ባሉ የላቁ ሂደቶች፣ የሂደቱ መስኮት ወደ አቶሚክ ሚዛን የተጠጋ ሲሆን፣ የባህላዊ ኳርትዝ ፍጆታዎች የአጭር ጊዜ የአገልግሎት ፕላት እና የኤሌክትሪክ መስክ ጣልቃገብነት ውጤት የምርት ማነቆዎች ሆነዋል። ከዋፈር ጋር ባለው አካላዊ እና ኬሚካላዊ ተመሳሳይነት፣ ሞኖክሪስታሊን ሲሊኮን ቁሳቁስ የበይነገጽ ጣልቃገብነትን በእጅጉ ሊቀንስ፣ የጥገና ዑደቱን ከ3,000 ሰዓታት በላይ ሊያራዝም እና አጠቃላይ ወጪውን በ40% ሊቀንስ ይችላል።

ፈጣን ዝርዝር:

1. ሌሎች ስሞች፡- የትኩረት ቀለበት፣ የመቅረጫ ቀለበት፣ ለመቀረጽ የትኩረት ቀለበት፣ ሞኖክሪስታሊን ሲሊኮን የማተኮር ቀለበት።

2. አተገባበር፡- የማይጠቀሙባቸው ክፍሎች የሂደቱን ትክክለኛነት እና መረጋጋት ለማረጋገጥ ቁልፍ ክፍሎች ናቸው። እነዚህ ክፍሎች በቫክዩም ክፍል ውስጥ በትክክል የተገጣጠሙ ሲሆን ይህም በፕላዝማ ስርጭት፣ በጠርዝ ሙቀት እና በኤሌክትሪክ መስክ ወጥነት ላይ ትክክለኛ ቁጥጥር በማድረግ በዋፈር ወለል ላይ የናኖስኬል መዋቅሮችን አንድ ወጥ የሆነ ማሽነሪ ለማሳካት ነው።

3. ዋና መለኪያዎች፡ የሙቀት ማስተላለፊያ (149 W/m·K)፣ የሂደት ሙቀትን በፍጥነት ሊያከናውን፣ የአካባቢውን የሙቀት ጫና ሊቀንስ ይችላል፤ የሙቀት መስፋፋት ዝቅተኛ ኮፊሸንት (2.6×10⁻⁶/K) በሙቀት መለዋወጥ ምክንያት የሚከሰተውን የክፍሎች መበላሸት ለማስወገድ ከሲሊኮን ዋፈር ጋር ይዛመዳል።

የቴክኒካል ውሂብ ንጽጽር

የHAR Etching: በ3D NAND እና TSV (በሲሊኮን) ሂደት ውስጥ፣ ጥልቅ ጉድጓድ የጎን ግድግዳ ዘላቂነት ያለው የተረጋጋ ጥገና።

የአቶሚክ ንብርብር ቅርፊት (ALE): ከመጠን በላይ ቅርፊትን ለማስወገድ በትክክለኛ የኤሌክትሪክ መስክ ቁጥጥር ነጠላ የአቶሚክ ንብርብሮችን ማስወገድ።

የተዋሃደ ሴሚኮንዳክተር ማቀነባበሪያ፡- እንደ GaN እና SiC ካሉ ሰፊ ባንድ ክፍተት ቁሶች ጋር የሚስማማ ዝቅተኛ የጉድለት ፍጥነት ቅርፊት።

የዜሮ ብክለት ዋስትና፡- የሞኖክሪስታሊን ሲሊከን ቁሳቁስ እጅግ በጣም ትክክለኛ (Ra <0.1μm) እና የክፍል 10 ንፁህ ክፍል ጥቅል ሲሆን ይህም የሴሚኮንዳክተር ደረጃ ንፅህና ደረጃን (SEMI F47) ለማሟላት ነው።

ብልህ የሙቀት መቆጣጠሪያ ዲዛይን፡ የተቀናጀ የETC ሞጁል፣ በእውነተኛ ጊዜ ክትትል እና በተከተተ ቴርሞኮፕል በኩል የጠርዝ ሙቀት ማስተካከያ፣ የሂደት ክፍል የሙቀት መንሸራተት ካሳ፣ የባች ተደጋጋሚነት መኖሩን ለማረጋገጥ።

ብጁ ተኳሃኝነት፡- ለተለያዩ የፕላዝማ ምንጮች (ICP፣ CCP) በደንበኛ ጣቢያ ሞዴል (እንደ AMAT Centura፣ Lam Research Kiyo ያሉ) መሰረት ብጁ ቀዳዳ እና ውፍረትን ይደግፋል።